新存科技推出新型存储器芯片

据湖北日报消息，近日，新存科技（武汉）有限责任公司（以下简称“新存科技”）发布自主研发的国产新型三维存储器芯片NM101。该产品由新存科技与华中科技大学长合作研发。

NM101芯片属于相变存储器（PCM，Phase Change Memory）技术，与英特尔和美光合作开发的3DXPoint技术相似。这项技术的核心是在电阻变化原理的基础上，通过改变材料的相态来实现数据存储。NM101芯片采用的是SLC（单层单元）存储单元类型，其最高I/O速度为3200MT/s。NM101芯片的IO接口电压为1.2V，支持在0℃到+70℃的广泛温度范围内稳定运行。

新存科技总经理刘峻介绍，NM101芯片容量目前达64Gb，支持随机读写。该芯片可为数据中心、云计算厂商等提供大容量、高密度、高带宽、低时延的新型存储解决方案。